当前位置:首页 > 新闻详情

方正微电子 全系碳化硅产品方案亮相湾芯展

来源:方正微电子   发布时间:2026-10-16 15:50:29

10月14日,2026湾芯展在深圳会展中心拉开帷幕,现场人气汇聚。方正微电子携全系碳化硅晶圆、器件、模块及解决方案亮相。

方正微电子技术副总裁刘韧在化合物半导体高峰论坛重磅发布了DIP32碳化硅功率模块。

新能源汽车OBC、悬架控制、空调压缩机等车载电气系统长期承受高低温循环,分立器件方案布线繁杂;高温下器件参数漂移显著,发热高,性能不稳定,很难同时实现小型化、高效率与长寿命。针对这些痛点,方正微电子推出SiC DIP32功率模块,搭载自研车规芯片,通过3000小时可靠性测试。耐压裕量高,抗高压冲击;高温下参数漂移小,性能稳定。标准化集成方案可减少布线与调试,为车载小三电提供紧凑可靠的SiC功率方案。

目前方正微电子的DIP32模块已在头部客户得到验证,并获得批量订单,且DIP4in1系列化封装及2300V功率模块也在与客户联合设计开发。本次湾芯展DIP32新品正式发布,是方正微电子实现国产SiC主驱芯片出货领跑之后,布局车规碳化硅全场景应用的重要一步。

针对爆火的AIDC领域,方正微电子产品专家林奇峰介绍,随着英伟达等厂商推动AI发展,2025年被视为AIDC(人工智能数据中心)快速发展元年,2026年进入快速扩张期。AI服务器功率密度大幅提升,而机柜标准尺寸不变,迫使供电系统采用高频高压材料,碳化硅(SiC)成为关键解决方案。

方正微电子紧跟市场趋势,针对PSU,UPS,HVDC等应用已具备全系列650V-1200V的SiC产品,封装覆盖从传统的TO插件到TOLL,TOLT,QDPAK等贴片型系列产品,功率等级从几百瓦至几十千瓦;针对SST和高功率的PSU应用,方正微电子布局研发的高压平台,覆盖1500V,1700V,2300V的SiC器件产品。

AI数据中心场景的客户导入及落地上,方正微电子已实现多点开花。目前方正微电子已和超聚变达成了战略合作,并同步导入多家头部PSU的客户并批量供货,在HVDC与SST应用中,也与头部客户实现战略合作及批量供货。下一步,方正微电子将与各细分赛道的头部客户形成长期稳定的战略合作。

今年是方正微电子扎根半导体领域的第23年,这位老兵拥有从外延到晶圆制造、器件封装的IDM全链条能力,SiC MOSFET平台从Planar Gen1一路演进到Gen4 Trench、Gen5 SJ,有信心真正实现“把技术做深、把良率做稳、把场景做透、把品质做硬”。

新闻介绍:

方正微电子在2026湾芯展上正式发布全系碳化硅(SiC)产品方案,重点推出车规级DIP32功率模块,专为新能源汽车“小三电”(OBC、悬架控制、空调压缩机)设计,解决分立器件布线复杂、高温参数漂移大、散热差等痛点;该模块采用自研芯片,通过3000小时可靠性测试,具备高耐压裕量与高温稳定性,并已获头部客户批量订单。同时,公司加速拓展AI数据中心(AIDC)应用,提供覆盖650V–2300V的全系列SiC器件,封装涵盖TO、TOLL、TOLT、QDPAK等多种形式,适配PSU、UPS、HVDC及SST等高压高频场景,已与超聚变等多家头部客户达成战略合作并实现批量供货。作为成立23年的IDM企业,方正微电子具备SiC外延、晶圆制造到封装的全链条能力,技术平台持续迭代至Gen5 SJ,致力于深耕车规与AIDC两大核心应用。

责任编辑:康炜邺

碳索储能网版权说明:

1.所有未标注来源为碳索储能网或碳索储能网整理的文章,均转载与其他媒体,目的在于传播更多信息,但并不代表碳索储能网赞同其观点、立场或证实其描述。其他媒体如需转载,请与稿件来源方联系,如产生任何版权问题与本网无关。

2. 涉及资本市场或上市公司内容也不构成任何投资建议,投资者据此操作,风险自担!

3. 如因作品内容、版权以及引用的图片(或配图)内容仅供参考,如有涉及版权问题,可联系我们直接删除处理。请在30日内进行。

推荐新闻
back homepageto top